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光伏(Photovoltaic – PV)电池也被称为太阳能电池。一组太阳能光伏板或太阳能光伏组件与太阳能接线,断路器,太阳能充电器,电池,太阳能逆变器等下游设备一起构成光伏系统。
它们将太阳光转化为电能以储存或供电其他设备(包括人造光源)的神奇技术。那么他们运行的 ?它是如何制造的?让我们找出来。
“Photo”是指光线或可见光谱中的光子或电磁波。 “Volt”是指电位差,它会导致电子流动并产生电流。
光伏是指当被光源(具有足够的波长和能量的自然或人造光源)撞击光电材料表面时,它产生电力。
光伏(PV)电池的运行需要三个基本属性:
在光伏电池中有两个独特的不同组,即单结和多结电池。
单结太阳能电池仅具有一个p-n(正 – 负)结,而多结太阳能电池具有多于一个p-n结。 p-n结是两种半导体材料之间的界面,其中一种是富电子半导体(N型),另一种是电子耗尽(P型)。
单结光伏电池在市场上大多数常规太阳能电池中都能找到。晶体硅太阳能电池(单晶硅和多晶硅)就是最好的例子之一。
添加微量硼的纯硅将形成P型半导体,而添加微量磷的纯硅将形成N型半导体。
当太阳光中的光子撞击太阳能电池并从n区(高电子浓度)中去除电子时,脱离的电子从该区域逸出,并通过电路到达p区(低电子浓度)。这种电子流动构成了电力。
单结太阳能电池可能的最高理论效率约为34%(Shockley Queisser Efficiency Limit)。关于效率的更多信息在接下来的几章中。
为了寻求更高效率的光伏器件,通过堆叠多层不同的p型和n型半导体来形成多层p-n结。这使得能够将更广泛的光能转换成电能。
使用不同的半导体材料,例如磷化铟镓(GaInP),砷化镓铟(GaInAs)和锗(Ge)。这些半导体中的每一个都使用不同波长范围的太阳光来发电。
最常见的是晶体硅(c-Si)类型。正如名称所示,它是由硅晶体制成的。它占据了目前市场上近90%的太阳能用量。然而市场上有太多的太阳能电池板。它的构建材料和形式都不相同。
首先我们看看两种最常见的硅太阳能光伏 – 单晶硅和多晶硅光伏。
单晶硅太阳能光伏 (Monocrystaline Solar Cells) – 最高效的硅基太阳能电池,是由人工生长的单晶硅晶片通过切克劳斯基工艺制成的。它具有最高的纯度,显得黑暗均匀,并且通常具有切割边缘的明显特征,因为从晶锭切下四个侧面以形成均匀的晶片。在温暖和低光环境下表现更好,效率在15-22%之间。多晶的太阳能电池也比较昂贵。
多晶硅太阳能光伏 (Polycrystaline Solar Cells) – 最经济的硅基太阳能电池。它被称为多晶硅(p-Si)或(mc-Si)。独特的斑点特征是由于一起生长的多个互锁硅晶体。不使用切克劳斯基工艺,而是将熔融硅倒入方形模具中以形成晶体。因此,生产纯度较低,成本较低。效率稍低于单晶,特别是在较高的热量下,效率为13-18%。为了弥补效率略低,与同瓦数相比,聚太阳能面板的面积要大于面板的面积。而且更新的聚乙烯板有效率,可以与单板竞争。
接下来我们来看看市场上太阳能电池的其他变化 – 薄膜太阳能电池。
薄膜太阳能电池(TFSC) – 光伏材料不是使用经典的硅晶体(晶体厚,硬而脆,在弯曲压力下会开裂),而是非常薄地沉积在衬底上,使其更加轻便灵活。薄膜面板制造简单,显得均匀,看起来很有吸引力,而且灵活。效率变量取决于光伏材料。薄膜电池板可以由多种材料构成,主要选择是非晶硅(a-Si),最普遍的类型是碲化镉(CdTe)和硒化铜铟镓(CIS / CIGS)。
建筑一体化光电(BIPV)它更像是太阳能技术和建筑的混合或整合(或者是硅晶片或者薄膜,或者两者兼而有之),而不是一个独立的太阳能电池板。与阳光接触的外墙,屋顶,窗户,墙壁以及其他许多东西都可以与光伏材料结合使用。它们就像发电的忍者一样,不是完全隐身的,而是比传统的方法更有吸引力。
想知道太阳能电池是如何制造的?这是一个复杂而又美妙的概念。我们举一个如何制作单晶硅太阳能电池的例子。尽管硅在地球上是被遗忘的(宇宙中最常见的元素),而沙子主要是硅,但显然你不能在家制造太阳能。这一切都回到如何通过切克劳斯基人工生长水晶。
(Czochralski process)切克劳斯基工艺是用于获得单晶(半导体,金属和宝石)的晶体生长方法。高纯度多晶硅(在二氧化硅石英的还原和纯化后形成的杂质仅为百万分之几)在约1500摄氏度的高纯度真空坩埚中熔化。
在此期间,可以将掺杂杂质添加到熔融硅中以掺杂(改变其材料的电性质)硅。 n型硅(电子浓度高于空穴浓度)的普通掺杂剂是磷。普通的p型硅掺杂剂(空穴浓度高于电子浓度)是硼
将轴端的纯硅棒作为晶种浸入熔融硅中缓慢拉起,逆时针旋转。硅晶体将通过硅的均匀沉积而在晶种上缓慢生长,形成一个大的圆柱形晶体(或称为圆形或硅锭),其下面可能重200-700kg。拉,旋转和冷却的速度(温度梯度)将决定所形成晶体的质量和尺寸。这个过程可能需要几个星期到几个月时间,并且占单晶太阳能电池生产成本的三分之一。
之后将硅锭研磨至特定的直径,并用金刚石锯将其切成特定的形状。由直径约为150毫米的锭块生产的125毫米×125毫米的晶片,以及由直径约为200毫米的锭块生产的156毫米×156毫米的晶片。具有切割边缘的单晶太阳能电池的奇形状主要是因为最大可用平方表面是由一个圆确定的,以使硅损失最小化。
之后,通过线锯将硅锭切片以形成硅晶片。这被称为晶圆。它经历了从晶圆制造太阳能电池的各种过程。
在聚甲基丙烯酸甲酯太阳能电池制造中,也经历了上述类似的过程,但没有切克劳斯基工艺。高纯度多晶硅被粉碎熔化,直接铸成方形多晶硅锭。在没有切克劳斯基工艺的情况下,工艺速度要快得多,比多晶硅和单晶的成本降低了20-30%。
美国是现代太阳能光伏发明者和先驱。它曾经是1954-1996年的光伏主要领导。美国贝尔实验室的工程师Russell Ohl于1946年获得了第一个现代太阳能电池的专利。第一个实用的晶体硅电池于1954年开发出来,从那以后电池效率得到了提高
随后,日本在1997 – 2004年率先成为全球最大的光伏电力生产国。
德国在2005 – 2014年间领先。 2000年引入“可再生能源法案”,使可再生能源在电网上得到普及。许多人已经投资了可再生能源技术,导致光伏发电量的增加。 2016年,德国的光伏装机容量超过了40吉瓦大关。
中国在2010年初开始涉足光伏太阳能产业。到2015年底,中国超过了德国的产能,成为世界上最大的光伏发电生产国,并持续增长。
由于全球对光伏增加的需求,硅片制造的成熟以及硅片生产厂的数量的增加,光伏正变得越来越受消费者的欢迎。
地球在高层大气层接收到太阳辐射174瓦(PW)。在太阳光达到海平面之前,约有30%被反射回太空,其余的则被大气中的分子吸收,如臭氧,氧气和水。
太阳能效率基本上是一个平方米多少的光能量被捕获和转换成电能。
然而,光电半导体材料实际上可以吸收多少光子并转化为电能存在限制。具有较低能量(较长波长)的光子不会被吸收。只有能量高于带隙能量的光子才能通过在光伏材料中产生电子 – 空穴对来击退电子并发电,然而来自光子的多余能量将转化为热量。
这使单个p-n结的太阳能电池的理论上最大效率有局限。它被称为Shockley Queisser效率限制或SQ限制。假设单个p-n结的带隙为1.34eV(使用AM1.5太阳光谱),该极限值使最大太阳能转换效率在33.7%左右。
AM 1.5太阳光谱是最常用的标准,因为大部分太阳能使用国位于温带地区(欧洲,中国,日本,美国,印度北部,南非和澳大利亚)。
为了提高超出SQ Limit的太阳能电池的效率,通常需要多结太阳能电池。其他创新,包括太阳能集中器和量子点被使用,但成本较高。
具有多结太阳能电池的集中光伏已经达到了超过44%的太阳能电池效率。然而,由于成本和复杂性,正常的消费市场仍然遥遥无期。
当我们了解到单晶硅比多晶硅和薄膜效率更高时,是不是意味着放弃购买单晶硅板而忘记其余的?答案是不。
与100瓦额定值的单晶面板相比,100瓦额定的多晶面板产生的功率输出量几乎相同,但是与单晶面板相比,多晶面板的表面会更大,以输出相同的功率量。薄膜面板的表面会更大,以获得相同的功率输出(取决于使用的光伏材料)。
选择哪个面板的决定取决于我们在哪里放置面板。在一个小屋顶的小房子,明智得到一个非常高效的太阳能电池板,以获得最大的利益。很明显,它具有更高的价格标签。但是,如果你有一块草坪用于太阳能项目,你可以很容易地得到相同的产量,非常便宜的太阳能电池板效率很低,但覆盖面积更大。